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IPD12CNE8N G
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:OptiMOS??

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss):85V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):67A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.4 毫歐 @ 67A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4340pF @ 40V

功率 - 最大值:125W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3

其它名稱:SP000096477

介紹圖IPD12CNE8N G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPD12CNE8N GMOSFET N-CH 85V 67A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)489.73 Kbytes共12頁IPD12CNE8N G的PDF文件地址 IPD12CNE8N G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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